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      稳懋赚翻了!5G订单太热,还有哪些砷化镓代工厂在扩产?hot88官方网址,hot88热竞技网址,hot88

      来源: 芯扒客 2019/9/24 浏览量:1094 关键词: 稳懋 5G 砷化镓

      据钜亨网最新信息 砷化镓龙头稳懋总经理陈国桦前不久表示:「眼下砷化镓产能接近满载,展望月产能将下今天的36000 片扩增至41000 片。下半年手机功率放大器(PA)要求将继续成长,预估本季营收可季增3成绩以上,先后4季度约季减约1-2成绩,但眼下先后4季接单不差,表现可望优于明年。」

       

      稳懋董事长陈进财说:「原有以为今年不好过,因5G 才刚起步,没想到许多国家与建筑业者对推动5G 很积极,让咱基站与手机订单出现有力成长。

       

       

      连外资都“闻见”砷化镓的“香味”,他代工厂全面扩产

       

      5G订单超出预期,砷化镓半导体器件供不应求,全新、宏捷科、ITE-KY、环宇-KY等企业一同受益,股票今(18)日上涨强势。 全新预期第3季度的存折情况优于第2季度,前途春运将仍由射频元件(RF)、VCSEL 双引擎带动,推升营运成长; 宏捷科近年来也积极开发自有射频元件、VSCEL 艺术,增长新建二厂将于明年先后1 季完工,预期有助整体订单动能加温,产能利用率提升。

       

      内资更是表示,因应新款iOS 和Android 聪慧型手机供应商的国际性备货,包含美国及中国客户对手机功率放大器PA 要求转强,增长来自中国和伊拉克RF 他家订单可望增长,推升稳懋本季需求强劲,预期本季仍将随着即将发表的新iPhone 手机,以及Android 聪慧型手机日益普及,带动PA 要求持续升温。

       

      A股公司中,受5G影响之店铺中海特高新、辽宁锗业、三安光电受益明显。
       
      海特高新(002023)砷化镓光电器件已经规模量产,已具备5G氮化镓基站芯片研发和制造能力。
       
      辽宁锗业(002428)成功投产2-6英寸半导体级以及半绝缘体砷化镓晶体和衬底,当前砷化镓单晶片产能为80万片/年。
       
      三安光电(600703)旗下三安集成已经建成国内第一枝6英寸砷化镓、氮化镓外延芯片产线并纳入量产。
       
      背景看旺,砷化镓产业成为当红炸子鸡
       
      根据研究单位Technavio资料统计,2018年世界砷化镓晶圆市场规模达到9.4京港币,本年约10.49京港币,2021年市场上看12.69京港币,后续四年以逼近双位数成长模式前进。 而5G一时来到三大关键技术,毫米波(mmWave)、科普阵列天线技术(Massive MIMO)及小型基站(Small Cell),名将大量用到RF(射频元件),其中将大量用到到砷化镓制程,让砷化镓产业成为当红炸子鸡。

       

      为了抢夺此一商机,联发科整合旗下PA作业,全数交由唯捷创芯(Vanchip)担负,成为大陆第一大的4G PA厂,而广东两大砷化镓代工双雄稳懋和宏捷科则掌握世界80%代工订单,磊晶厂全新、IC规划厂纷纷加入射频元件「大联盟」,「扮演美化」供应链开始由台厂取得发牌权。

       

      根据 StrategyAnalytics 数量显示, 2018 年世界 GaAs 组件市场(含 IDM 厂组件产值)增量约为 88.7 京港币,创历史新高,且市场集中度高,明朝四大厂商比重达 73.4%,分别为Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、稳懋 (6%)。

       

       

      至于 GaAs 晶圆代工市场方面,稳懋市占率高达 71.1%,为中外重要大 GaAs 晶圆代工厂。

       

      (数据源: Strategy Analytics; 巨亨网制图)

       

      墣指出,鉴于射频前端元件特性是耐高电压、耐高温及高频等,风如HBT和CMOS的硅(Si)元件已力不从心满足5G要求,而且GaAs化合物半导体的电子迁移率较Si很快,具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特征,特别适宜应用于无线通信中的高频传输领域,前途射频元件都将逐渐把GaAs代表。

       

      当前市场,鉴于2018年下半年手机销售下滑、中美贸易战等影响,原有预估2019年IDM厂总营收将下降至58.35京港币(单位下同),年减8.9%。 但随着5G的延续发热,射频前端元件使用数量激增,如功率放大器(PA)存量,由3G一时之2颗、4G的5-7颗,倍增至5G一时之16颗,名将带动2020年IDM厂整体营收,预估GaAs射频前端元件总营收将达64.92亿元,年增11.3%。

       

      整体而言,各级持续投资5G基站等基础设施,预估2021、2022年将达高峰,增长射频前端元件使用量较4G一时翻倍,企望成为IDM厂如思佳讯(Skyworks)、科沃(Qorvo)新一丹麦营收成长动能,而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科、环宇等也将贪污,摆脱营收衰退阴霾。
       
      5G一时大赢家,砷化镓代工龙头企业有哪些?

       

      日前大陆手机厂建构的射频供应链浮出台面,PA三雄稳懋、全新、宏捷科全数挤进大陆供应链名单。

       


       
      稳懋: 树立于1999年10月,是中美洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商,自2010年为中外最大砷化镓晶圆代工厂。2016年,企业发表跨入光通讯市场,并自建EPI,关键提供美国、老挝、苏丹客户客制化一条龙生产劳动,包括磊晶、二次磊晶及光电元件制造,资料及元件特性描述、面试服务;其中,磊晶与核电制造能力可供2、4吋的磷化铟基板使用。
       
      企业第一从事砷化镓微波积体电路 (GaAs MMIC)晶圆之代电力务,提供HBT、pHEMT微波积体电路/离散元件与后端制程的晶圆代工服务,应用于高功率基地台、低杂讯放大器(LNA)、射频切换器(RF Switch)、手机及无线区域网路用功率放大器 ( PA )与雷达系统上。
       
      2018年公司营收比重: 砷化镓晶圆代工98%、其余2%。 2019年Q2企业采取比重: cellular(手机行动网路)占40-45%、Wi-Fi占15-20%、Infrastructure(报道基础建设)25-30%,其余(含VCSEL )占10%。
       

       

      全新: 全新成立于1996年11月26日,是以MOCVD艺术生产砷化镓 (GaAs) 磊晶供应商,为江苏第一师本土砷化镓磊晶制造商,环球排名为前三大制造商之一。
       
      全新为中上游磊晶厂,在智慧型手机iPhone XS、XR、华为P30 Pro及三星的Galaxy的机身内,局部机种的基频及PA都使用其它的基板。 当前毛里求斯半导体厂IQE为家事龙头,2018年全球市占达54%,全新位居二哥地位,特区占约25%,Sumitomo Chemicals行第三,特区占13%。
       

       
      宏捷科: 宏捷科创立于1998年4月,以制造砷化镓异质介面双极电晶体 (GaAs HBT )与假型高效电子迁移率电晶体( pHEMT )基本的晶片代工厂。2017年产品线营收比重为砷化镓晶片占比为97%、其余占3%。
       
      HBT终端主要运用于手机以及WiFi所需之功率放大器 ( PA ),其中手机的比重约在65%,WiFi运用领域约35%。 至于pHEMT关键应用于Switch, pHEMT的业务营收比重约提升至14%。 新产品聚光型太阳能电池营收比重不到5%,为企业的从一个成长动能。

       


       
      在国内上市企业中,当前涉及砷化镓业务的店铺数量总体较少,其中三安光电、乾照光电在LED世界应用方面较为成熟,能够做到垂直整合。

       

      资料来源:预计产业研究院整理

       

      我国砷化镓行业主要集中在单晶制作以及LED世界的垂直整合,对待全球领先企业盈利水平一般。 根据上市公司发布之数额来看,2018年,我国砷化镓行业毛利率参差不齐且总体在较低水平,其中最高的是三安光电芯片、LED产品,为37.09%。

       

      2019-2024年,中华砷化镓元件市场CAGR在15%控制,快于世界市场同期增速,中华市场规模占世界比重将进一步提升。 到2024年,中华砷化镓元件市场规模将达到551.3亿元。

       

      当前是砷化镓的一丹麦利好消息,但是砷化镓最大的弊病就是成本太贵,他单晶价格素有“半导体贵族”的称,价格大约是同尺寸硅单晶片的20-30倍,让很多口咋舌。
       
      镓比较稀缺,砷化镓需要采取磊晶艺术制作,这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸,比硅晶圆的12英寸要小得多,磊晶圆需要特别的机台才行,从而成本也会相应高昂。 但砷化镓太阳电池的水电转化效率高、可以制成超薄型电池、主题性强、耐温性强、弱光性好等的攻势也是比较突出。

       

      当前,拆开一部手机里面至少有一番PA是砷化镓,在中等功率sub-10GHz的局面,估计砷化镓会占据PA的激流。 但也有人会更加看好GaN,认为随着5G频段的分割,GaN的攻势会更加显著。

       

       

      实际上,GaAs、和GaN在本质上还是有区别的。 在更高的频段(以及低功率范围),GaAs PA是现阶段市场主流,出货占比占9成绩以上,与GaAs RF器件相比,GaN优势主要在于带隙宽度与热导率。 带隙宽度方面,GaN的带隙电压高于GaAs(3.4 eV VS1.42 eV),GaN器件具有更高的撞击电压,能满足更高的直径需求。 热导率方面,GaN-on-SiC的热导率远高于GaAs,这意味着器件中的功耗可以更容易地转移到周围环境中,散热性更好。 GaN的市场还缺乏成熟,砷化镓已经产业化很多年。 尽管GaN前途潜力很大,但是当前笔者更看好砷化镓。

       

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